High-electron-mobility transistor

L'article "High-electron-mobility transistor" sur Wikipédia en anglais a 37.9 points pour la qualité (au 1 novembre 2023). L'article contient 11 références et 14 sections. L'article contient également un modèle de défauts de qualité, qui réduit le score de qualité.

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L'article est cité 75 fois dans Wikipédia en anglais et cité 335 fois dans toutes les langues.

Le rang d’intérêt des auteurs le plus élevé depuis 2001:

• Local (anglais): n° 33851 en février 2014
• Mondial: n° 41353 en mars 2004

Le classement de popularité le plus élevé depuis 2008:

• Local (anglais): n° 122637 en avril 2015
• Mondial: n° 151040 en avril 2015

Il existe 15 versions linguistiques pour cet article dans la base de données WikiRank (sur les 55 éditions linguistiques Wikipédia considérées).

L'évaluation de la qualité et de la popularité est basée sur les dumps Wikipédia du 1 novembre 2023 (y compris l'historique des révisions et les pages vues des années précédentes).

Le tableau ci-dessous présente les versions linguistiques de l'article de la plus haute qualité.

#	Langue	Niveau de qualité	Score de qualité
1	anglais (en) High-electron-mobility transistor		37.9264
2	allemand (de) High-electron-mobility transistor		24.9058
3	vietnamien (vi) HEMT		23.4744
4	russe (ru) Транзистор с высокой подвижностью электронов		22.5496
5	catalan (ca) HEMT		16.6218
6	japonais (ja) 高電子移動度トランジスタ		10.2305
7	chinois (zh) 高电子迁移率晶体管		9.0128
8	espagnol (es) Transistores HEMT		7.0952
9	indonésien (id) Transistor pergerakan-elektron tinggi		6.2021
10	suédois (sv) HEMT		4.2151

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Le tableau suivant présente les versions linguistiques les plus populaires de l'article.

Les versions linguistiques les plus populaires de l'article "High-electron-mobility transistor" dans tout le temps

#	Langue	Prix de popularité	Popularité relative
1	anglais (en) High-electron-mobility transistor		882 005
2	japonais (ja) 高電子移動度トランジスタ		255 666
3	allemand (de) High-electron-mobility transistor		111 410
4	russe (ru) Транзистор с высокой подвижностью электронов		99 334
5	chinois (zh) 高电子迁移率晶体管		60 278
6	espagnol (es) Transistores HEMT		42 735
7	italien (it) HEMT		26 601
8	indonésien (id) Transistor pergerakan-elektron tinggi		11 071
9	français (fr) MODFET		9 182
10	suédois (sv) HEMT		5 299

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Le tableau suivant présente les versions linguistiques de l'article le plus populaire au cours du mois dernier.

Les versions linguistiques les plus populaires de l'article "High-electron-mobility transistor" en octobre 2023

#	Langue	Prix de popularité	Popularité relative
1	anglais (en) High-electron-mobility transistor		3 699
2	russe (ru) Транзистор с высокой подвижностью электронов		552
3	chinois (zh) 高电子迁移率晶体管		461
4	japonais (ja) 高電子移動度トランジスタ		451
5	allemand (de) High-electron-mobility transistor		437
6	espagnol (es) Transistores HEMT		147
7	italien (it) HEMT		99
8	français (fr) MODFET		77
9	persan (fa) ترانزیستور تحرک الکترونی بالا		46
10	polonais (pl) Tranzystor o wysokiej ruchliwości elektronów		46

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Le tableau suivant présente les versions linguistiques de l'article présentant le plus grand intérêt des auteurs.

Versions linguistiques de l'article "High-electron-mobility transistor" présentant le plus grand intérêt des auteurs. Seuls les utilisateurs enregistrés de Wikipédia ont été comptés.

#	Langue	Prox de IA	IA relatif
1	anglais (en) High-electron-mobility transistor		91
2	allemand (de) High-electron-mobility transistor		33
3	italien (it) HEMT		32
4	japonais (ja) 高電子移動度トランジスタ		23
5	russe (ru) Транзистор с высокой подвижностью электронов		23
6	espagnol (es) Transistores HEMT		12
7	catalan (ca) HEMT		9
8	suédois (sv) HEMT		9
9	français (fr) MODFET		7
10	indonésien (id) Transistor pergerakan-elektron tinggi		7

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Le tableau suivant montre les versions linguistiques de l'article ayant suscité le plus grand intérêt des auteurs au cours du mois dernier.

Versions linguistiques de l'article "High-electron-mobility transistor" présentant le plus grand intérêt des auteurs en octobre 2023

#	Langue	Prox de IA	IA relatif
1	catalan (ca) HEMT		0
2	allemand (de) High-electron-mobility transistor		0
3	anglais (en) High-electron-mobility transistor		0
4	espagnol (es) Transistores HEMT		0
5	persan (fa) ترانزیستور تحرک الکترونی بالا		0
6	français (fr) MODFET		0
7	indonésien (id) Transistor pergerakan-elektron tinggi		0
8	italien (it) HEMT		0
9	japonais (ja) 高電子移動度トランジスタ		0
10	polonais (pl) Tranzystor o wysokiej ruchliwości elektronów		0

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Le tableau suivant présente les versions linguistiques de l'article avec le plus grand nombre de citations.

Versions linguistiques de l'article "High-electron-mobility transistor" avec l'indice de citation (IC) le plus élevé

#	Langue	Prix ​​de IC	IC relatif
1	japonais (ja) 高電子移動度トランジスタ		105
2	anglais (en) High-electron-mobility transistor		75
3	allemand (de) High-electron-mobility transistor		32
4	italien (it) HEMT		24
5	indonésien (id) Transistor pergerakan-elektron tinggi		22
6	russe (ru) Транзистор с высокой подвижностью электронов		18
7	catalan (ca) HEMT		12
8	chinois (zh) 高电子迁移率晶体管		11
9	espagnol (es) Transistores HEMT		10
10	français (fr) MODFET		9

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#	Langue	Valeur
ca	catalan HEMT
de	allemand High-electron-mobility transistor
en	anglais High-electron-mobility transistor
es	espagnol Transistores HEMT
fa	persan ترانزیستور تحرک الکترونی بالا
fr	français MODFET
id	indonésien Transistor pergerakan-elektron tinggi
it	italien HEMT
ja	japonais 高電子移動度トランジスタ
pl	polonais Tranzystor o wysokiej ruchliwości elektronów
ru	russe Транзистор с высокой подвижностью электронов
sv	suédois HEMT
uk	ukrainien HEMT
vi	vietnamien HEMT
zh	chinois 高电子迁移率晶体管

Meilleur rang

anglais: n° 122637 04.2015

Mondial: n° 151040 04.2015

Meilleur rang

anglais: n° 33851 02.2014

Mondial: n° 41353 03.2004

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