Транзистор с плавающим затвором

L'article "Транзистор с плавающим затвором" sur Wikipédia en russe a 15.9 points pour la qualité (au 1 novembre 2023). L'article contient 5 références et 6 sections.

Cet article a la meilleure qualité sur Wikipédia en anglais. De plus, cet article est le plus populaire dans cette version linguistique.

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L'article est cité 14 fois dans Wikipédia en russe et cité 583 fois dans toutes les langues.

Le rang d’intérêt des auteurs le plus élevé depuis 2001:

• Local (russe): n° 6412 en mars 2009
• Mondial: n° 80598 en mars 2009

Le classement de popularité le plus élevé depuis 2008:

• Local (russe): n° 46646 en juin 2008
• Mondial: n° 208713 en mars 2015

Il existe 11 versions linguistiques pour cet article dans la base de données WikiRank (sur les 55 éditions linguistiques Wikipédia considérées).

L'évaluation de la qualité et de la popularité est basée sur les dumps Wikipédia du 1 novembre 2023 (y compris l'historique des révisions et les pages vues des années précédentes).

Le tableau ci-dessous présente les versions linguistiques de l'article de la plus haute qualité.

#	Langue	Niveau de qualité	Score de qualité
1	anglais (en) Floating-gate MOSFET		33.472
2	chinois (zh) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管		32.5664
3	catalan (ca) MOSFET de porta flotant		29.7497
4	allemand (de) Floating-Gate-Transistor		20.2991
5	italien (it) Floating Gate MOSFET		17.512
6	russe (ru) Транзистор с плавающим затвором		15.9203
7	japonais (ja) 浮遊ゲートMOSFET		15.4934
8	persan (fa) ماسفت گیت-شناور		14.9378
9	ukrainien (uk) Транзистор із плавним затвором		14.8781
10	vietnamien (vi) FGMOS		14.3275

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Le tableau suivant présente les versions linguistiques les plus populaires de l'article.

Les versions linguistiques les plus populaires de l'article "Транзистор с плавающим затвором" dans tout le temps

#	Langue	Prix de popularité	Popularité relative
1	anglais (en) Floating-gate MOSFET		740 638
2	allemand (de) Floating-Gate-Transistor		121 783
3	russe (ru) Транзистор с плавающим затвором		96 315
4	italien (it) Floating Gate MOSFET		38 659
5	chinois (zh) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管		21 192
6	japonais (ja) 浮遊ゲートMOSFET		12 821
7	ukrainien (uk) Транзистор із плавним затвором		5 536
8	vietnamien (vi) FGMOS		1 091
9	persan (fa) ماسفت گیت-شناور		1 062
10	indonésien (id) Memori gerbang mengambang		191

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Le tableau suivant présente les versions linguistiques de l'article le plus populaire au cours du mois dernier.

Les versions linguistiques les plus populaires de l'article "Транзистор с плавающим затвором" en octobre 2023

#	Langue	Prix de popularité	Popularité relative
1	anglais (en) Floating-gate MOSFET		3 942
2	chinois (zh) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管		442
3	allemand (de) Floating-Gate-Transistor		381
4	russe (ru) Транзистор с плавающим затвором		357
5	japonais (ja) 浮遊ゲートMOSFET		291
6	italien (it) Floating Gate MOSFET		139
7	ukrainien (uk) Транзистор із плавним затвором		46
8	persan (fa) ماسفت گیت-شناور		18
9	indonésien (id) Memori gerbang mengambang		15
10	vietnamien (vi) FGMOS		13

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Le tableau suivant présente les versions linguistiques de l'article présentant le plus grand intérêt des auteurs.

Versions linguistiques de l'article "Транзистор с плавающим затвором" présentant le plus grand intérêt des auteurs. Seuls les utilisateurs enregistrés de Wikipédia ont été comptés.

#	Langue	Prox de IA	IA relatif
1	anglais (en) Floating-gate MOSFET		59
2	russe (ru) Транзистор с плавающим затвором		25
3	allemand (de) Floating-Gate-Transistor		23
4	italien (it) Floating Gate MOSFET		16
5	ukrainien (uk) Транзистор із плавним затвором		7
6	chinois (zh) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管		5
7	japonais (ja) 浮遊ゲートMOSFET		4
8	vietnamien (vi) FGMOS		4
9	catalan (ca) MOSFET de porta flotant		2
10	persan (fa) ماسفت گیت-شناور		2

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Le tableau suivant montre les versions linguistiques de l'article ayant suscité le plus grand intérêt des auteurs au cours du mois dernier.

Versions linguistiques de l'article "Транзистор с плавающим затвором" présentant le plus grand intérêt des auteurs en octobre 2023

#	Langue	Prox de IA	IA relatif
1	anglais (en) Floating-gate MOSFET		1
2	chinois (zh) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管		1
3	catalan (ca) MOSFET de porta flotant		0
4	allemand (de) Floating-Gate-Transistor		0
5	persan (fa) ماسفت گیت-شناور		0
6	indonésien (id) Memori gerbang mengambang		0
7	italien (it) Floating Gate MOSFET		0
8	japonais (ja) 浮遊ゲートMOSFET		0
9	russe (ru) Транзистор с плавающим затвором		0
10	ukrainien (uk) Транзистор із плавним затвором		0

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Le tableau suivant présente les versions linguistiques de l'article avec le plus grand nombre de citations.

Versions linguistiques de l'article "Транзистор с плавающим затвором" avec l'indice de citation (IC) le plus élevé

#	Langue	Prix ​​de IC	IC relatif
1	anglais (en) Floating-gate MOSFET		309
2	japonais (ja) 浮遊ゲートMOSFET		104
3	vietnamien (vi) FGMOS		87
4	allemand (de) Floating-Gate-Transistor		24
5	italien (it) Floating Gate MOSFET		14
6	russe (ru) Транзистор с плавающим затвором		14
7	ukrainien (uk) Транзистор із плавним затвором		11
8	catalan (ca) MOSFET de porta flotant		6
9	persan (fa) ماسفت گیت-شناور		6
10	chinois (zh) 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管		6

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#	Langue	Valeur
ca	catalan MOSFET de porta flotant
de	allemand Floating-Gate-Transistor
en	anglais Floating-gate MOSFET
fa	persan ماسفت گیت-شناور
id	indonésien Memori gerbang mengambang
it	italien Floating Gate MOSFET
ja	japonais 浮遊ゲートMOSFET
ru	russe Транзистор с плавающим затвором
uk	ukrainien Транзистор із плавним затвором
vi	vietnamien FGMOS
zh	chinois 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管

Meilleur rang

russe: n° 46646 06.2008

Mondial: n° 208713 03.2015

Meilleur rang

russe: n° 6412 03.2009

Mondial: n° 80598 03.2009

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