高电子迁移率晶体管

L'article "高电子迁移率晶体管" sur Wikipédia en chinois a 9 points pour la qualité (au 1 août 2024).

Cet article a la meilleure qualité sur Wikipédia en anglais. De plus, cet article est le plus populaire dans cette version linguistique.

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L'article est cité 12 fois dans Wikipédia en chinois et cité 341 fois dans toutes les langues.

Le rang d’intérêt des auteurs le plus élevé depuis 2001:

• Local (chinois): n° 16754 en avril 2017
• Mondial: n° 41373 en mars 2004

Le classement de popularité le plus élevé depuis 2008:

• Local (chinois): n° 72206 en juin 2020
• Mondial: n° 150920 en avril 2015

Il existe 15 versions linguistiques pour cet article dans la base de données WikiRank (sur les 55 éditions linguistiques Wikipédia considérées).

L'évaluation de la qualité et de la popularité est basée sur les dumps Wikipédia du 1 août 2024 (y compris l'historique des révisions et les pages vues des années précédentes).

Le tableau ci-dessous présente les versions linguistiques de l'article de la plus haute qualité.

#	Langue	Niveau de qualité	Score de qualité
1	anglais (en) High-electron-mobility transistor		46.5631
2	allemand (de) High-electron-mobility transistor		24.7274
3	vietnamien (vi) HEMT		23.7121
4	russe (ru) Транзистор с высокой подвижностью электронов		22.5664
5	catalan (ca) HEMT		16.5895
6	japonais (ja) 高電子移動度トランジスタ		10.2404
7	chinois (zh) 高电子迁移率晶体管		9.0011
8	espagnol (es) Transistores HEMT		7.0771
9	indonésien (id) Transistor pergerakan-elektron tinggi		6.2008
10	suédois (sv) HEMT		4.1996

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Le tableau suivant présente les versions linguistiques les plus populaires de l'article.

Les versions linguistiques les plus populaires de l'article "高电子迁移率晶体管" dans tout le temps

#	Langue	Prix de popularité	Popularité relative
1	anglais (en) High-electron-mobility transistor		912 934
2	japonais (ja) 高電子移動度トランジスタ		259 816
3	allemand (de) High-electron-mobility transistor		115 247
4	russe (ru) Транзистор с высокой подвижностью электронов		104 257
5	chinois (zh) 高电子迁移率晶体管		64 432
6	espagnol (es) Transistores HEMT		43 637
7	italien (it) HEMT		27 288
8	indonésien (id) Transistor pergerakan-elektron tinggi		11 208
9	français (fr) MODFET		9 942
10	suédois (sv) HEMT		5 556

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Le tableau suivant présente les versions linguistiques de l'article le plus populaire au cours du mois dernier.

Les versions linguistiques les plus populaires de l'article "高电子迁移率晶体管" en juillet 2024

#	Langue	Prix de popularité	Popularité relative
1	anglais (en) High-electron-mobility transistor		2 815
2	japonais (ja) 高電子移動度トランジスタ		582
3	allemand (de) High-electron-mobility transistor		417
4	chinois (zh) 高电子迁移率晶体管		391
5	russe (ru) Транзистор с высокой подвижностью электронов		326
6	français (fr) MODFET		73
7	espagnol (es) Transistores HEMT		64
8	italien (it) HEMT		63
9	polonais (pl) Tranzystor o wysokiej ruchliwości elektronów		20
10	persan (fa) ترانزیستور تحرک الکترونی بالا		17

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Le tableau suivant présente les versions linguistiques de l'article présentant le plus grand intérêt des auteurs.

Versions linguistiques de l'article "高电子迁移率晶体管" présentant le plus grand intérêt des auteurs. Seuls les utilisateurs enregistrés de Wikipédia ont été comptés.

#	Langue	Prox de IA	IA relatif
1	anglais (en) High-electron-mobility transistor		93
2	allemand (de) High-electron-mobility transistor		33
3	italien (it) HEMT		32
4	japonais (ja) 高電子移動度トランジスタ		23
5	russe (ru) Транзистор с высокой подвижностью электронов		23
6	espagnol (es) Transistores HEMT		12
7	catalan (ca) HEMT		9
8	suédois (sv) HEMT		9
9	français (fr) MODFET		8
10	indonésien (id) Transistor pergerakan-elektron tinggi		7

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Le tableau suivant montre les versions linguistiques de l'article ayant suscité le plus grand intérêt des auteurs au cours du mois dernier.

Versions linguistiques de l'article "高电子迁移率晶体管" présentant le plus grand intérêt des auteurs en juillet 2024

#	Langue	Prox de IA	IA relatif
1	catalan (ca) HEMT		0
2	allemand (de) High-electron-mobility transistor		0
3	anglais (en) High-electron-mobility transistor		0
4	espagnol (es) Transistores HEMT		0
5	persan (fa) ترانزیستور تحرک الکترونی بالا		0
6	français (fr) MODFET		0
7	indonésien (id) Transistor pergerakan-elektron tinggi		0
8	italien (it) HEMT		0
9	japonais (ja) 高電子移動度トランジスタ		0
10	polonais (pl) Tranzystor o wysokiej ruchliwości elektronów		0

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Le tableau suivant présente les versions linguistiques de l'article avec le plus grand nombre de citations.

Versions linguistiques de l'article "高电子迁移率晶体管" avec l'indice de citation (IC) le plus élevé

#	Langue	Prix ​​de IC	IC relatif
1	japonais (ja) 高電子移動度トランジスタ		104
2	anglais (en) High-electron-mobility transistor		76
3	allemand (de) High-electron-mobility transistor		33
4	italien (it) HEMT		24
5	indonésien (id) Transistor pergerakan-elektron tinggi		22
6	russe (ru) Транзистор с высокой подвижностью электронов		18
7	catalan (ca) HEMT		12
8	chinois (zh) 高电子迁移率晶体管		12
9	français (fr) MODFET		11
10	espagnol (es) Transistores HEMT		10

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#	Langue	Valeur
ca	catalan HEMT
de	allemand High-electron-mobility transistor
en	anglais High-electron-mobility transistor
es	espagnol Transistores HEMT
fa	persan ترانزیستور تحرک الکترونی بالا
fr	français MODFET
id	indonésien Transistor pergerakan-elektron tinggi
it	italien HEMT
ja	japonais 高電子移動度トランジスタ
pl	polonais Tranzystor o wysokiej ruchliwości elektronów
ru	russe Транзистор с высокой подвижностью электронов
sv	suédois HEMT
uk	ukrainien HEMT
vi	vietnamien HEMT
zh	chinois 高电子迁移率晶体管

Meilleur rang

chinois: n° 72206 06.2020

Mondial: n° 150920 04.2015

Meilleur rang

chinois: n° 16754 04.2017

Mondial: n° 41373 03.2004

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